Au88Ge12金鍺合金預(yù)成型焊帶/焊片   

       Au88Ge12金鍺合金具有低蒸氣壓、低基礎(chǔ)電阻、低熔化溫度、與襯底粘附性好、高導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性等優(yōu)點(diǎn)。其作為一種共晶焊料，在芯片焊接封裝等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。常用在電子產(chǎn)品、電真空器件焊接及高溫焊接和某些特殊材料的焊接，在大氣或H2氣爐中釬焊鍍金可伐，鍍銀鋁材，Ag、Cu、Ni、可伐合金等，特別適用于釬焊高真空系統(tǒng)中使用的器件。

金鍺合金的基本性能：

  金鍺合金為共晶合金，共晶點(diǎn)成分12wt%Ge，共晶溫度356℃。如下圖：

金鍺合金具有適合用作封裝材料的性能：

  1、低的封接溫度。金鍺合金（共晶合金）熔點(diǎn)為356℃，釬焊溫度為380~400℃。

  2、良好的潤濕性及耐腐蝕性。具有良好的流散性和浸潤性且對鍍金層無浸蝕現(xiàn)象，其合金含88wt%Au，與鍍金層的成分接近，因而通過擴(kuò)散對很薄鍍層的浸溶程度很低。

  3、高的抗拉強(qiáng)度。在室溫下的抗拉強(qiáng)度約為220MPa，與一些高溫釬料的強(qiáng)度相當(dāng)，但整個釬焊過程在相對低得多的溫度下完成。

  4、低的熱膨脹系數(shù)。電子器件的組裝及服役過程中，材料熱膨脹系數(shù)CTE的非匹配是造成封裝失效的一個重要原因，因此電子封裝材料的熱膨脹系數(shù)必須足夠低，才能與相互連接的硅元件的特性相匹配。金鍺合金的CTE比同樣用作電子封裝的AuSn和AuSi更低。

  5、良好的導(dǎo)熱性能。金鍺合金在微電子器件中可起到為半導(dǎo)體芯片提供機(jī)械支撐、接通半導(dǎo)體芯片的電流通路，散逸半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生熱的作用。

  6、較低的蒸氣壓。

  7、比銀基合金有更好的耐腐蝕和抗氧化性能。

  8、良好的流散性。

  9、高溫穩(wěn)定性較好。焊接時一般不形成脆性相，因而焊接強(qiáng)度高。